Електроний каталог - Науково-технічна бібліотека ім М.Є. Жуковського ХАІ

Cписок

Сабадош В., Ризак И., Чугай О., Ризак В.
Вычисление плотности фононных состояний кристаллов Sn2P2S(Se)6 с температурной зависимостью теплоемкости с помощью параллельной MPI-программы

Вид документа: Складова частина документа
Автор: Сабадош В., Ризак И., Чугай О., Ризак В. Вид автора: персона
Мова: Російська Обсяг: С. 212-218
УДК: 548

Аннотацiя:

С помощью разработанной MPI-программы, которая базируется на использовании метода регуляризации, рассчитана плотность фононных состояний для кристаллов Sn2P2S6 и Sn2P2Se6 с температурной зависимости теплоемкости. Найденные плотности фононных состояний кристаллов Sn2P2S6 и Sn2P2Se6 находятся в хорошем согласовании с результатами исследования методом неупругого некогерентного рассеянии нейтронов. Ключевые слова: халькогениды, сегнетоэлектрики, теплоемкость кристалла, кластерный метод, фазовый переход, форма кластера, размер кластера.

Переглянути електронну копію

Є складовою частиною документа: Открытые информационные и компьютерные интегрированные технологии

Відомості щодо назви

Відомості про відповідальність:

Ужгородский национальный университет, Национальный аэрокосмический университет им. Н.Е. Жуковского "ХАИ"

Відомості щодо головного

Вид автора головного документа:

Персона

Назва головного документа:

Открытые информационные и компьютерные интегрированные технологии

Відомості щодо назви головного документа:

сб. научных трудов

Місце видання головного документа:

Харьков

Видавник головного документа:

Нац. аэрокосмический ун-т "ХАИ"

Дата видання головного документа:

2009

Номер частини головного документа:

Вып. 44

Шифр головного документа:

004

Авторський знак головного документа:

О-83

Загальна інформація

Бібліографія:

9 назв

Теми документа: