[email protected]
+38 (057) 788-42-24
  •   Електронний каталог
  •   dKHAIIR
  • Про бібліотеку
    • Бібліотека сьогодні
    • Історія бібліотеки
    • Структура бібліотеки. Графік роботи.
    • Положення про науково-технічну бібліотеку
    • Правила користування НТБ
  • Ресурси
    • Інформаційно-бібліографічні ресурси
      • Бібліографічні видання
      • Тематичні книжково-ілюстративні виставки
      • Віртуальні виставки
    • Нові надходження
    • Онлайн-ресурси локального доступу
    • Онлайн-ресурсы вільного доступу
    • Списки публікацій співробітників НТБ
    • Швидкий пошук
  • Студенту
    • Оформлення списку літератури
    • Основи інформаційної культури
    • Соціокультурна діяльність
      • Галерея
      • Архів подій
    • Випускники ХАІ
  • Наука
    • Бібліометричні профілі співробітників Університету
    • Нормативно-правова база
    • Оформлення дисертацій і авторефератів
    • Наукометрична діяльність
    • Створення авторського профілю
    • Технічні звіти з НДДКР
    • До уваги науковців
  • Послуги
    • Електронна доставка документів
    • Віртуальна довідка
    • Ваш формуляр
    • Усі послуги
  • Головна
  •  → 
  • Електронний каталог
  •  → 
  • Пошук по електронному каталогу
  •  → 
  • Опис документа

Форма пошуку Назад
укр рус eng
 Cписок

Кислицын А.П., Таран А.А., Комозынский П.А., Орданьян С.С., Абашин С.Л.
Исследования композиционного материала на основе Ba0,5Sr0,5HfO3 с вольфрамом. Часть 2. Структура и состав поверхности

Вид документа: Стаття періодики
Автор: Кислицын А.П., Таран А.А., Комозынский П.А., Орданьян С.С., Абашин С.Л. Вид автора: персона
Мова: Російська Обсяг: С. 20-25
УДК: 621.3.032.21

Аннотацiя:Представлены результаты электронно-микроскопических исследований состава и структуры поверхности и приповерхностных слоев высокотемпературных композиционных катодных материалов на основе гафната бария-стронция с вольфрамом с различным процентным содержанием компонент. Исходная структура этих эмиттеров представляет собой в основном зерна вольфрама и гафната бария-стронция. В процессе активирования на поверхности катодов образуется пористый слой гафния и оксида гафния. Высокая эмиссионная активность этих материалов обусловлена адсорбцией бария и стронция на гафнии (оксиде гафния) вследствие диффузии бария и стронция через развитую систему пор. Ключевые слова: катод, гафнат бария-стронция, вольфрам, структура, фазовый состав.


Переглянути електронну копію

Є складовою частиною документа: Авиационно-космическая техника и технология

Відомості щодо головного
 Назва головного документа:Авиационно-космическая техника и технология
 Дата видання головного документа:2014
 Номер частини головного документа:3

Загальна інформація
 Бібліографія:Библиогр.: 9 назв.

Теми документа:

  • Праці співробітників ХАІ/Труды сотрудников ХАИ/Works of KHAI employees/ Праці співробітників ХАІ/Труды сотрудников ХАИ/ К/ Кислицин О.П./Кислицын А.П.
  • Праці співробітників ХАІ/Труды сотрудников ХАИ/Works of KHAI employees/ Праці співробітників ХАІ/Труды сотрудников ХАИ/ Т/ Таран А.О./Таран А.А./Taran A.
  • Праці співробітників ХАІ/Труды сотрудников ХАИ/Works of KHAI employees/ Праці співробітників ХАІ/Труды сотрудников ХАИ
  • УДК/UDC/ 6 Прикладні науки. Медицина. Технологія/Прикладные науки. Медицина. Технология/ Applied Sciences. Medicine. Technology/ 62 Машинобудування. Техніка в цілому/Инженерное дело. Техника в целом/Engineering. Technology in general/ 621 Загальне машинобудування. Ядерна техніка. Електротехнiка. Машинобудування/Общее машиностроение. Ядерная техника. Электротехника. Технология машиностроения/Mechanical engineering in general. Nuclear technology. Electrical engin/ 621.3 Електрика. Електротехніка.Технічна електродинаміка/Электротехника/Electrical engineering/ 621.3.03 Спеціальна електротехніка/Специальная электротехника. Специальные определители для отдельных разделов электротехники/Special electrical equipment/ 621.3.032 Частини електричних та газорозрядних ламп. Напівпровідникові прилади/Детали электрических и газоразрядных ламп. Полупроводниковые приборы/Details of electric and gas discharge tubes. Semiconductor items/ 621.3.032.2 Електроди. Внутрішні екрани та діафрагми/Электроды. Внутренние экраны и диафрагмы/Electrodes. Internal screens and diaphragms/ 621.3.032.21 Катоди/Катоды/Cathodes
  • Праці співробітників ХАІ/Труды сотрудников ХАИ/Works of KHAI employees/ Праці співробітників ХАІ/Труды сотрудников ХАИ/ А/ Абашин С.Л.
logo logo logo logo

Контакти

Національний аерокосмічний університет ім. М.Є. Жуковського "ХАІ"
Україна, м. Харків, 61070
вул. Чкалова, 17

(057) 788-42-24, (057) 788-46-10
[email protected]

Про бібліотеку

  • Історія бібліотеки
  • Бібліотека сьогодні
  • Структура бібліотеки. Графік роботи.
  • Правила користування науково-технічною бібліотекою

Ресурси

  • Електронний каталог
  • Онлайн-ресурси локального доступу
  • Онлайн-ресурси вільного доступу

Підпишіться

на розсилку наших новин

2025 © Науково-технічна бібліотека ХАІ

Задати питання
Ми обробляємо онлайн заявки в першу чергу. Довідка обробляється протягом 3 днів (в зависмости від складності запиту).

Надіслати
Замовити частина документа (книгу)
Ми обробляємо онлайн заявки в першу чергу. Довідка обробляється протягом тижня (в зависмости від складності запиту).

Відомості про замовника

Відомості про книгу


Надіслати
Замовити статтю з журналу / збірника
Ми обробляємо онлайн заявки в першу чергу. Довідка обробляється протягом тижня (в зависмости від складності запиту).

Відомості про замовника

Відомості про статтю з журналу / збірника


Надіслати