[email protected]
+38 (057) 788-42-24

Головна
→
Електронний каталог
→
Пошук по електронному каталогу

Форма поиска Назад

укр рус eng

Поиск по электронному каталогу

Условия поиска
Все документы темы "Кислицин О.П./Кислицын А.П."

Результаты 1 - 20 от общего числа 40

Список

Выбрать все на странице

1.	Шифр: 621.791 Р65
Розробка методології створення технологічних систем комбінованих процесів з використанням лазерних джерел, розробка методів та моделей комбінованих процесів та проведення експериментальних досліджень : звіт про НДР (остаточ.) : Д104-2/2019-П / М-во освіти і науки України, Нац. аерокосм. ун-т ім. М. Є. Жуковського "Харків. авіац. ін-т" ; керівник Абашин С. ; викон.: Цегельник Є. [та інш.]. - Харків, 2020. - 178 с. - № ДР 0119U100941 - Інв № 0221U104059

2.	Шифр: 628 В41
Вивчення особливостей плазмового розряду над поверхнею рідини і його застосування для очистки води : звіт про НДР (заключ.) / М-во освіти і науки України, Нац. аерокосм. ун-т ім. М. Є. Жуковського "Харків. авіац. ін-т" ; керівник Таран А.. ; викон.: Кислицин А., Подшивалова О., Охрімовський А. - Харків, 2020. - 22 с. - № ДР 0117U005434 - Інв. № 0220U104769

3.	Шифр: 621.9 К44, Кислицин О.П.
Наукові основи впливу висококонцентрованих потоків енергії на структуру та фізичні властивості термоемітерів : автореф. дис. ... д-ра техн. наук : 05.03.07 - процеси фізико - техн. оброб. / О. П. Кислицин ; М-во освіти і науки України, Нац. аерокосм. ун-т ім. М. Є. Жуковського "Харків. авіац. ін-т". - Харків, 2020. - 37 с.

4.	Шифр: 621.9 К44, Кислицин О.П.
Наукові основи впливу висококонцентрованих потоків енергії на структуру та фізичні властивості термоемітерів : дис. ... д-ра техн. наук : 05.03.07 - процеси фізико - техн. оброб. : 132 - матеріалознавство : захищ. 23.10.2020 / О. П. Кислицин ; М-во освіти і науки України, Нац. аерокосм. ун-т ім. М. Є. Жуковського "Харків. авіац. ін-т" ; наук. консультант А. О. Таран. - Харків, 2020. - 369 с.

5.	Букарев А.А.
Модулятор светового потока с известной формой оптического импульса / А. А. Букарев, В. А. Лесной, А. П. Кислицын // Радіоелектронні і комп'ютерні системи : наук. - техн. журн. / М-во освіти і науки України, Нац. аерокосм. ун-т ім. М. Є. Жуковського "Харк. авіац. ін-т". - 2017. - № 4. - С. 50-56 . - Библиогр.: 11 назв.

6.	Шифр: 621 І-73, Інтегровані комп'ютерні технології в машинобудуванні ІКТМ'2017", всеукр. наук. - техн. конф. (2017; Харків)
Всеукраїнська науково-технічна конференція "Інтегровані комп'ютерні технології в машинобудуванні ІКТМ'2017" : зб. матеріалів конф . Т. 2 / Інтегровані комп'ютерні технології в машинобудуванні ІКТМ'2017", всеукр. наук. - техн. конф. (2017; Харків) ; М-во освіти і науки України, Нац. аерокосм. ун-т ім. М. Є. Жуковського "Харк. авіац. ін-т". - Харків. - Нац. аерокосм. ун-т ім. М. Є. Жуковського "Харк. авіац. ін-т", 2017. - 293 с . - 60,00

7.	Шифр: 621 І-73, Інтегровані комп'ютерні технології в машинобудуванні ІКТМ'2016", всеукр. наук. - техн. конф. (2016; Харків)
Всеукраїнська науково-технічна конференція "Інтегровані комп'ютерні технології в машинобудуванні ІКТМ'2016" : зб. матеріалів конф . Т. 2 / Інтегровані комп'ютерні технології в машинобудуванні ІКТМ'2016", всеукр. наук. - техн. конф. (2016; Харків) ; М-во освіти і науки України, Нац. аерокосм. ун-т ім. М. Є. Жуковського "Харк. авіац. ін-т". - Харків. - Нац. аерокосм. ун-т ім. М. Є. Жуковського "Харк. авіац. ін-т", 2016. - 350 с . - 60,00

8.	Шифр: 629.7 И88
Исследование влияния бомбардировки ионами ксенона поверхности композиционных катодных материалов на основе скандатов бария на эмиссионные свойства. Получение и изучение эмиссионных свойств катодных материалов на основе гафнатов бария-стронция-кальци : отчет о НИР (промежуточ.) : ДКЕД-12/2015-Ф / М-во образования и науки Украины, Нац. аэрокосм. ун-т им. Н. Е. Жуковского "Харьк. авиац. ин-т" ; рук. Таран А. ; исполн.: Кислицын А. [и др.]. - Харьков, 2016. - 94 с. - № ГР 0115U003326 - Инв. № 0217U001068

9.	Кислицын А.П.
Формирование кратеров на поверхности композиционных термоэмиссионных материалов в системе BaxSr1 xHfO3 - W при токоотборе / А. П. Кислицын, А. А. Таран, П. А. Комозынский // Авиационно-космическая техника и технология : Научно-технический журнал. - 2016. - № 6. - С. 21-26 . - Библиогр.: 9 назв.

10.
Применимость способа восстановления вольт-амперной характеристики вакуумного диода по одиночному импульсу высокого напряжения / А. П. Кислицын, А. А. Таран, Д. А. Оранская, В. А. Лесной // Радіоелектронні і комп'ютерні системи : наук. - техн. журн. / М-во освіти і науки України, Нац. аерокосм. ун-т ім. М. Є. Жуковського "Харк. авіац. ін-т". - 2016. - № 4. - С. 92-96 . - Библиогр.: 6 назв.

11.	Кислицын А.П.
Изменение структуры композиционного материала 80мас.%BaZrO3 - 20мас.% W при нанесении на его поверхность Al2O3 / А. П. Кислицын, А. А. Таран // Авиационно-космическая техника и технология : Научно-технический журнал. - 2016. - № 4. - С. 4-9 . - Библиогр.: 13 назв.

12.	Шифр: 629.7 Р17
Разработка и исследование эмиссионных свойств композиционных катодных материалов на основе скандатов и гафнатов бария, а также на основе боридов РЗМ. Проведение ресурсных испытаний композиционного катодного материала Ba0,75Sr0,25HfO3 C 20 мас. %W : отчет о НИР (промежуточ.) : ДКЕД-12/2015-Ф / М-во образования и науки Украины, Нац. аэрокосм. ун-т им. Н. Е. Жуковского "Харьк. авиац. ин-т" ; рук. Таран А. : исполн. : Кислицын А. [и др.]. - Х., 2015. - 144 с. - № ГР 0115U003326 - Инв. № 0216U001600

13.	Кислицын А.П.
Восстановление зависимости эмиссионного тока от анодного напряжения по одиночному импульсу высокого напряжения / А. П. Кислицын, А. А. Таран // Радіоелектронні і комп'ютерні системи : наук. - техн. журн. / М-во освіти і науки України, Нац. аерокосм. ун-т ім. М. Є. Жуковського "Харк. авіац. ін-т". - 2015. - № 2. - С. 5-10 . - Библиогр.: 14 назв.

14.	Кислицын А.П.
Контроль эмиссионной неоднородности рабочей поверхности термокатода в процессе эмиссионных испытаний / А. П. Кислицын // Авиационно-космическая техника и технология : Научно-технический журнал. - 2015. - № 4. - С. 90-95 . - Библиогр.: 13 назв.

15.	Шифр: 629.7 Н34
Научные основы создания новых высокоэффективных катодов для плазменных технологий в космической, авиационной и других отраслях промышленности : отчет о НИР (заключ.) : Д505-19/2012-Ф / М-во образования и науки Украины, Нац. аэрокосм. ун-т им. Н. Е. Жуковского "Харьк. авиац. ин-т" ; рук. Таран А. : исполн. : Кислицын А. [и др.]. - Х., 2014. - 162 с. - № ГР 0112U001039 - Инв. № 0215U006162

16.
Исследования композиционного материала на основе Ba0,5Sr0,5HfO3 с вольфрамом. Часть 2. Структура и состав поверхности / А. П. Кислицын, А. А. Таран, П. А. Комозынский, С. С. Орданьян [и др. ] // Авиационно-космическая техника и технология : Научно-технический журнал. - 2014. - № 3. - С. 20-25 . - Библиогр.: 9 назв.

17.
Эмиссионные свойства и отравляемость направленно закристаллизованного катодного материала 60 % Gdb6 40 % VB2 (по массе) / А. А. Таран, А. П. Кислицын, В. Б. Филиппов, В. Н. Падерно [и др. ] // Авиационно-космическая техника и технология : Научно-технический журнал. - 2014. - № 1. - С. 95-98 . - Библиогр.: 3 назв.

18.	Шифр: 629.7 С58
Создание физических основ синтеза композиционных катодных материалов на основе гафнатов бария-стронция с вольфрамом BaxSr1-xHfO3-W с разным содержанием вольфрама : отчет о НИР (промежуточ.) : Д505-19/2012-Ф / М-во образования и науки Украины, Нац. аэрокосм. ун-т им. Н. Е. Жуковского "Харьк. авиац. ин-т" ; рук. Таран А. : исполн. : Кислицын А. [и др.]. - Х., 2014. - 171 с. - № ГР 0112U001039 - Инв. № 0214U000184

19.	Таран А. А.
Отравляемость катодных материалов в системе BaHfO3-W при напуске воздуха / А. Таран, А. Кислицын, О. Подшивалова // Авиационно-космическая техника и технология : Научно-технический журнал. - 2013. - № 6. - С. 4-7 . - Библиогр.: 5 назв.

20.
Исследования композиционного материала на основе Ba0,5Sr0,5HfO3 с вольфрамом. Часть 1. Термоэмиссионные свойства / А. П. Кислицын, А. А. Таран, П. А. Комозынский, С. С. Орданьян // Авиационно-космическая техника и технология : Научно-технический журнал. - 2013. - № 5. - С. 26-31 . - Библиогр: 14 назв.

Страница с результатами: 1 2

Сведения о заказчике:
Заказать*:
ФИО*:
Номер чит. билета (ХАИ):
E-mail*:
Сведения о документе:
Шифр и/или автор*:
Название / Описание*:
Шифр:
Том:
Страницы*:	ограничение - 30 страниц (согласно авторскому праву)
Поля отмеченные звездочкой (*) обязательны для заполнения.