| Аннотацiя: | Рассмотрены физические процессы и факторы саморазогрева в мощном субмикронном полевом гетеротранзисторе. Предложены математические модели и проведен электротепловой анализ параметров и характеристик гетеротранзистора. На основе анализа температурных полей показано влияние тепловых процессов на параметры схемной модели и выходные частотные характеристики субмикронного гетеротранзистора. Установлена зависимость теплового сопротивления транзистора от его геометрических и теплофизических параметров.
Ключевые слова:
субмикронный гетероструктурный транзистор; нитрид галлия; тепловые поля; эффект саморазогрева; частотные характеристики усиления. |