Форма пошуку Назад
укр рус eng
 Cписок

Коколов А.А., Бабак Л.И.
Методика построения и верификация нелинейной модели EEHEMT для GaN HEMT транзистора

Вид документа: Стаття періодики
Автор: Коколов А.А., Бабак Л.И. Вид автора: персона
Мова: Російська Обсяг: С. 3-14
УДК: 621.382.383

Аннотацiя:Рассмотрена формализованная методика, позволяющая на основе измеренных малосигнальных S-параметров и вольт-амперных характеристик выполнить экстракцию параметров нелинейной модели EEHEMT полевого СВЧ транзистора. В качестве примера построена модель отечественного 0,15 мкм GaN HEMT транзистора, работающего в диапазоне миллиметровых волн. Правильность и точность построения нелинейной модели верифицируется при помощи измерений выходной мощности и нагрузочных характеристик транзистора в режиме большого сигнала. Ключевые слова: СВЧ транзистор; нелинейная модель; экстракция; измерение; нагрузочная характеристика; GaN HEMT.

Є складовою частиною документа: Вісті вищих учбових закладів. Радіоелектроніка

Відомості щодо головного
 Назва головного документа:Известия вузов. Радиоэлектроника
 Дата видання головного документа:2015
 Номер тому головного документа:58
 Номер частини головного документа:10

Загальна інформація
 Бібліографія:Библиогр.: 17 назв.

Теми документа: