Форма пошуку Назад
укр рус eng
 Cписок

Алтухов А.А., Бугаев А.С., Гуляев Ю.В., Зяблюк К.Н., Митянгин А.Ю., Чучева Г.В.
Перспективы создания СВЧ-элементов на основе полупроводниковых алмазных материалов

Вид документа: Стаття періодики
Автор: Алтухов А.А., Бугаев А.С., Гуляев Ю.В., Зяблюк К.Н., Митянгин А.Ю., Чучева Г.В. Вид автора: персона
Мова: Російська Обсяг: С. 3-18
УДК: 621.382.3

Аннотацiя:Рассмотрены наиболее перспективные алмазные полевые транзисторы с поверхностным каналом на основе водорода и транзисторы с б-каналом, легированным бором. Показаны преимущества данных транзисторов перед транзисторами на основе GaAs и Gan.

Є складовою частиною документа: Успехи современной радиоэлектроники

Відомості щодо головного
 Назва головного документа:Успехи современной радиоэлектроники
 Дата видання головного документа:2011
 Номер частини головного документа:6

Загальна інформація
 Бібліографія:53 назв

Теми документа: