Аннотацiя: | Теоретически исследованы модуляторы терагерцевого диапазона, основанные на кремневых иентегральных p-i-n- структурах. Сделано обобщение граничных условий Флетчера на инжектирующих контактах в случае высоколегированных p++, n++ областей , где принято во внимание как сужение запрещенной зоны, так и зависимость коэффициентов диффузии от концентрации легирования. |