| Аннотацiя: | Описана конструкция криостата с откачкой паров 3He, предназначенного для оптических измерений с высоким пространственным разрешением в диапазоне температур 0.45–4.2 К. Криостат снабжен четырьмя окнами из плавленого кварца. Исследуемый образец устанавливается внутри камеры с жидким 3He на держателе, минимизирующем влияние вибраций и термических дрейфов, и может находиться в камере при температуре 0.45 К более 20 ч. С помощью криостата изучена фотолюминесценция полупроводниковых GaAs/AlGaAs гетероструктур. Обнаружено, что в структуре с двумя туннельно-связанными квантовыми ямами GaAs шириной 120 A порог мощности накачки, необходимой для возникновения узкой спектральной линии, соответствующей бозе-конденсату пространственно-непрямых диполярных экситонов, уменьшается в 6 раз при понижении температуры от 1.5 до 0.45 К. В образце с широкой (250 A) одиночной квантовой ямой GaAs при температуре 0.45 К получены картины распределения люминесценции диполярных экситонов внутри 5-микронной кольцевой потенциальной |