Аннотацiя: | Проведен анализ радиационных эффектов в планарных наноразмерных структурах при воздействии стационарного и импульсного ионизирующего излучения. Исследованы характеристики опытных образцов планарной наноразмерной структуры, изготовленной путем осаждения сверхтонкой пленки титана на полуизолирующую GaAs-подложку, а так-же полевых транзисторных структур на основе пучков углеродных нанотрубок. Установлены физические механизмы радиационного изменения характеристик рассматриваемых элементов наноэлектроники. |