Форма пошуку
Назад
укр
рус
eng
Cписок
Вісті вищих учбових закладів. Радіоелектроніка
Вид документа:
Випуск журналу
Рiк видання:
2008
Мiсце видання:
К.
Видавництво:
КПИ
Вид автора:
персона
Мова:
Російська
Є складовою частиною документа:
Известия вузов. Радиоэлектроника
Складові частини документа:
Алексеев В.П., Карабан В.М. Топологическая термокомпенсация в гибридно-пленочном микротермостате, содержащем термостабильную подложку. - . - ,
Тоцкий А.В., Теплюк А.Л., Морозов В.Е., Хлопов Г.И., Хоменко С.И. Радиолокационное распознавание движущихся наземных объектов в миллиметровом диапазоне длин волн. - . - ,
Ключник И.И., Лодыгин М.А. Критерий периодичности для адаптивного алгоритма определения периода сигнала. - . - ,
Булычев Ю.Г., Головской В.А. Определение всех параметров движения цели триангуляционным способом в условиях априорной неопределенности. - . - ,
Сафонов В.В. Преобразователь сопротивления в частоту импульсов. - . - ,
Слипченко Н.И., Письменецкий В.А., Фролов А.В., Яновская Н.Н. Регресионные технологические модели кремниевых монокристаллических фотопреобразователей. - . - ,
Садков В.Д., Уткин В.Н., Якимов Д.Ю. Поглощающие элементы ЧИП-аттенюаторов для поверхностного монтажа. - . - ,
Ан В.И. Среднее значение модуля производной фазы суммы гармонического сигнала и гауссовского шума. - . - ,
Мазурков М.И., Чечельницкий В.Я., Мурр П. Метод защиты информации на основе совершенных двоичных решеток. - . - ,
Попов А.А. Информационные характеристики и свойства случайного сигнала, рассматриваемого как подалгебра обобщенной булевой алгебры с мерой. - . - ,
Садков В.Д., Уткин В.Н. Оптимальный профиль входных контактов аттенюаторной пластины на основе распределенных резистивных структур. - . - ,
Рязанцев О.В., С'янов А.М., Андреев А.А. О некоторых вариантах кодированной модуляции. - . - ,
Ри Бак Сон Формирование когерентных малошумящих СВЧ-колебаний. - . - ,
Соловьева Е.Б., Дегтярев С.А. Синтез нейронных фильтров импульсных помех для восстановления изображений. - . - ,
Елисеева Н.П., Горобец Н.Н. Излучение электрического диполя , расположенного внутри П-образного отражателя конечных размеров. - . - ,
Бабуров З.Ф., Маригодов В.К. Повышение помехоустойчивости системы ШОУ. - . - ,
Аверина Л.И., Бобрешов А.М., Курашов А.И. Влияние температуры на характеристики биполярного транзистора с гетеропереходом. - . - ,
Воробьев Г.С., Кривец А.С., Журба В.О., Рыбалко А.А. Моделирование волновых процессов в открытом волноводе с дифракционно-связанными источниками излучения. - . - ,
Відомості щодо назви
Номер тома
:
51
Номер частини
:
11/12
Загальна інформація
Країна публікації
:
Україна
Примірники
Місце збереження
Інвентарний номер
Номер
Кількість
Видано
.чз- загальний читальний зал
pe0009647
1
0