Форма пошуку Назад
укр рус eng
 Cписок

Варавин В.С., Сидоров Г.Ю.
Образование акцепторных центров при воздействии окислительно-восстановительных сред на поверхность пленок CdxHg1-xTe

Вид документа: Стаття періодики
Автор: Варавин В.С., Сидоров Г.Ю. Вид автора: персона
Мова: Російська Обсяг: С. 3-10
УДК: 537.31

Аннотацiя:Исследовано влияние окислительно-восстановительных сред на образование акцепторных центров центров в пленках CdxHg1-xTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках GaAs(301)

Є складовою частиною документа: Известия вузов. Электроника.

Відомості щодо назви
 Відомості про відповідальність:Институт физики полупроводников СО РАН, г.Новосибирск

Відомості щодо головного
 Назва головного документа:Известия вузов. Электроника.
 Дата видання головного документа:2008
 Номер частини головного документа:5

Загальна інформація
 Бібліографія:3 назв

Теми документа: