Форма пошуку
Назад
укр
рус
eng
Cписок
Горев Н. Б., Коджеспирова И. Ф., Привалов Е. Н.
Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs
Вид документа:
Стаття періодики
Автор:
Горев Н. Б., Коджеспирова И. Ф., Привалов Е. Н.
Вид автора:
персона
Мова:
Російська
Обсяг:
С. 52-54
УДК:
539.216
Аннотацiя:
Предложен неитерационный численный метод расчета зависимости барьерной емкости ионно-имплантированных структур GaAs от напряжения на барьере Шоттки. Выявлены особенности низко- и высокочастотной вольтфарадной характеристики этих структур, обусловленные наличием глубоких центров захвата.
Є складовою частиною документа:
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Відомості щодо назви
Відомості про відповідальність
:
Украина, г. Днепропетровск, Институт технической механики НАНУ и НКАУ
Відомості щодо головного
Назва головного документа
:
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Дата видання головного документа
:
2008
Номер частини головного документа
:
4
Загальна інформація
Бібліографія
:
6 назв
Теми документа:
УДК/UDC/ 5 Математика та природничі науки/Математика и естественные науки/Mathematics. Natural Sciences/ 53 Фізика/Физика/Physics/ 539 Фізична природа матерії/Строение материи/Physical nature of matter/ 539.2 Властивості та структура молекулярних систем/Свойства и структура молекулярных систем/Properties and structure of molecular systems/ 539.21 Властивості молекулярних систем/Свойства твердого тела. Свойства молекулярных систем/Properties of molecular systems/ 539.216 Ніздрювата, волокниста, пластинчата структура. Плівки. Променеві структури/Пузырчатая, чешуйчатая, пластинчатая, лучевая, волокнистая структура твердых тел. Пленка/Bubbly, scaly, lamellar, beam, fibrous structure of firm