Форма пошуку Назад
укр рус eng
 Cписок

Горев Н. Б., Коджеспирова И. Ф., Привалов Е. Н.
Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs

Вид документа: Стаття періодики
Автор: Горев Н. Б., Коджеспирова И. Ф., Привалов Е. Н. Вид автора: персона
Мова: Російська Обсяг: С. 52-54
УДК: 539.216

Аннотацiя:Предложен неитерационный численный метод расчета зависимости барьерной емкости ионно-имплантированных структур GaAs от напряжения на барьере Шоттки. Выявлены особенности низко- и высокочастотной вольтфарадной характеристики этих структур, обусловленные наличием глубоких центров захвата.

Є складовою частиною документа: Технология и конструирование в электронной аппаратуре

Відомості щодо назви
 Відомості про відповідальність:Украина, г. Днепропетровск, Институт технической механики НАНУ и НКАУ

Відомості щодо головного
 Назва головного документа:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
 Дата видання головного документа:2008
 Номер частини головного документа:4

Загальна інформація
 Бібліографія:6 назв

Теми документа: