Форма пошуку Назад
укр рус eng
 Cписок

Шерченко А. А., Апальков А. Б.
Распределение зарядовых состояний в щели подвижности a-Si:H

Вид документа: Стаття періодики
Автор: Шерченко А. А., Апальков А. Б. Вид автора: персона
Мова: Російська Обсяг: C. 7-14
УДК: 621.315.592:621.383

Аннотацiя:Представлена методика моделирования фотопроводимости с учетом прыжкового механизма переноса носителей, позволяющая оценить распределение зарядовых состояний в щели подвижности a-Si:H

Є складовою частиною документа: Известия вузов. Электроника.

Відомості щодо назви
 Відомості про відповідальність:Московский государственный институт электронной техники

Відомості щодо головного
 Назва головного документа:Известия вузов. Электроника.
 Дата видання головного документа:2007
 Номер частини головного документа:4

Загальна інформація
 Бібліографія:4 назв.

Теми документа: