Складові частини документа:

• Кожитов Л.В., Козлов В.В., Крапухин В.В. Создание для наноэлектроники новых материалов на основе углеродного нанокристаллического материала и металлополимерных нанокомпозитов. - . - ,
• Воробьев В.А., Кузнецов Ю.В., Каргин Н.И., Синельников Б.М. Изучение катодолюминисценции SuTiO(3): Pr(3+), Al. - . - ,
• Кобелева С.П., Юрчук С.Ю., Ярынчак М.А., Калинин В.В. Влияние поверхностной рекомбинации на измерение времени жизни неосновных носителей заряда в слитках монокристаллического кремния. - . - ,
• Маняхин Ф.И. Природа сопротивления компенсированного слоя и механизмы рекомбенации в светодиодных структурах. - . - ,
• Стрельцов А.В., Дмитриенко В.П., Дмитриенко В.П., Дмитриенко А.О., Торгашов Г.В. Фото- и катодолюминисценция кристаллов и пленок Y(2)O(3): Eu, полученных с использованием Н(3)ВО(3). - . - ,
• Цыганков В.Н. Твердофазный синтез и электрофизические свойства растворов системы СоО-MgO. - . - ,
• Пушкарь А.А., Уварова Т.В. Ап-конверсионные среды для лазеров Уф- и ВУФ-диапазонов на основе монокристалла ВаY(2)F(8). - . - ,
• Башкиров Л.А., Шамбалев В.Н., Алифиренко В.М., Подгорная С.В., Стрыгин А.А., Летюк Л.М. О возможном механизме влияния изоморфных добавок Ba(Sr)Al(2,5)Fe(9,5)O(19) на коэрцитивную силу гексагональных ферритов М-типа. - . - ,
• Козлов В.В., Кожитов Л.В., Крапухин В.В., Карпачева Г.П., Скрылева Е.А. Перспективные свойства нанокомпозита Cu/C, полученного с помощью технологии ИК-отжига. - . - ,
• Гаев Д.С., Павлова Л.М., Кузнецов Г.Д., Столяров А.Г. Метод получения микро- и наноразмерных структур инконгруэнтным испарением сплавов. - . - ,
• Михнев Л.В., Каргин Н.И., Вробьев В.А., Воробьев В.И., Бондаренко Е.А., Кузнецов Ю.В., Гусев А.С. Электролюминисцентный SrTiO(3): Pr(3+), Al. - . - ,
• Освенский В.Б., Каратаев В.В., Бублик В.Т., Сагалова Т.Б., Табачкова Н.Ю. Улучшение свойств термоэлектрических материалов Bi(2)Te(2,7)Se(0,3) путем создания экструзией оптимальной структуры. - . - ,
• Грушко Н.С., Потанахина Л.Н. Особенности процесса токопереноса в структурах на основе нитрида галлия с одной квантовой ямой. - . - ,
• Красильников О.М. Время релаксации фононов Si, Ge, GaAs, InSd и HgSe. - . - ,
• Богомолов С.Н., Кибизов Р.В., Пархоменко Ю.Н. Применение математического моделирования процесса выращивания методом Чохральского для эффективного производства монокристаллов кремния, предназначенных для солнечной энергетики. - . - ,