Форма пошуку Назад
укр рус eng
 Cписок

Петросян К.О., Торговников Р.А.
Сравнительный анализ схемотехнических моделей SiGe гетеропереходного биполярного транзистора

Вид документа: Стаття періодики
Автор: Петросян К.О., Торговников Р.А. Вид автора: персона
Мова: Російська Обсяг: С. 107-117
УДК: 621.382.33

Аннотацiя:Рассмотрены современные SPICE-модели биполярного транзистора с целью выбора оптимальной модели SiGe гетеропереходного биполярного транзистора для расчета сверхбыстродействующих схем

Є складовою частиною документа: Известия вузов. Электроника.

Відомості щодо назви
 Відомості про відповідальність:Московский государственный институт электроники и математики

Відомості щодо головного
 Назва головного документа:Известия вузов. Электроника.
 Дата видання головного документа:2006
 Номер частини головного документа:5

Загальна інформація
 Бібліографія:С. 117

Теми документа: