| Аннотацiя: | Приведены результаты исследований структурных и морфологических свойств гетероэпитаксиальных слоев AIN и GaN, выращенных на структурах нитрид-сапфир, в зависимости от технологических режимов рорельефа и ориентации слоя нижнего нитрида на сапфире. |