Cписок

Белоусов И.В., Бузанева Е.В., Кузнецов Г.В.
Газочувствительные структуры "силицид кобальта-пористый кремний-кремний"

Вид документа: Стаття періодики
Автор: Белоусов И.В., Бузанева Е.В., Кузнецов Г.В. Вид автора: персона
Мова: Російська Обсяг: С. 34-36
УДК: 621.382.2

Аннотацiя:

Изучены явления локального зарождения и последующей латеральной кристаллизации силицидной фазы CoSi2 на поверхности пористого кремния.

Є складовою частиною документа: Технология и конструирование в электронной аппаратуре

Відомості щодо головного

Назва головного документа:

Технология и конструирование в электронной аппаратуре

Дата видання головного документа:

2006

Номер частини головного документа:

Теми документа:

УДК/UDC/ 6 Прикладні науки. Медицина. Технологія/Прикладные науки. Медицина. Технология/ Applied Sciences. Medicine. Technology/ 62 Машинобудування. Техніка в цілому/Инженерное дело. Техника в целом/Engineering. Technology in general/ 621 Загальне машинобудування. Ядерна техніка. Електротехнiка. Машинобудування/Общее машиностроение. Ядерная техника. Электротехника. Технология машиностроения/Mechanical engineering in general. Nuclear technology. Electrical engin/ 621.3 Електрика. Електротехніка.Технічна електродинаміка/Электротехника/Electrical engineering/ 621.38 Електронiка. Електронні лампи. Фотоелектроніка. Рентгенотехніка. Прискорювачі елементарних частинок/Электроника. Фотоэлектроника. Электронные лампы. Трубки. Рентгенотехника. Ускорители частиц/Electronics. Photoelectronics./ 621.382 Електронні пристрої із використанням властивостей твердого тіла. Напівпровідникові елементи/Электронные элементы, использующие свойства твердого тела. Полупроводниковая электроника/Semiconductor electronics/ 621.382.2/.3 Напівпровідникові елементи/Электронные полупроводниковые приборы/Electronic semiconductor devices/ 621.382.2 Напівпровідникові діоди/Полупроводниковые диоды/Semiconductor diodes