Аннотацiя: | Рассмотрены перспективы использования кремния и широкозонных нитридов в полупроводниковой энергетике. Обсуждаются основные физико-химические и технологические факторы, выявляющие на качества кремния и эпитаксиальных слоев нитридов. Представлены методы улучшения параметров материалов при получении монокристаллов и гетероструктур, а также устройств на их основе. |